Guide for Measuring Time-Dependant Total-Dose Effects in Semiconductor Devices Exposed to Pulsed Ionizing Radiation (Withdrawn 1994)
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Method for Measuring Mosfet Saturated Threshold Voltage (Withdrawn 1992)
Guide for the Radiation Testing of Semiconductor Memories (Withdrawn 1993)
Test Method for Small-Signal Scattering Parameters of Low-Power Transistors in the 0.2 to 2.0 GHZ Frequency Range (Withdrawn 1997)
Test Method for Determining the Mean Interface Trap Density of Mosfets by Charge-Pumping (Withdrawn 1997)
Standard Test Method for Measuring Transistor and Diode Leakage Currents (Withdrawn 2006)
Guide for Measurement of Ionizing Dose-Rate Burnout of Semiconductor Devices
Standard Guide for Ionizing Radiation (Total Dose) Effects Testing of Semiconductor Devices
Dispositifs optoélectroniques à semiconducteurs pour application dans les systèmes à fibres optiques - Partie 1 : modèle de spécification relatif aux valeurs et caractéristiques essentielles
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Composants et dispositifs actifs en fibres optiques - Normes de fiabilité - Partie 3 : modules laser utilisés pour les télécommunications
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Dispositifs à semiconducteurs - Méthodes d'essais mécaniques et climatiques - Partie 24 : résistance à l'humidité accélérée - HAST sans polarisation
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Semiconductor devices - Semiconductor devices for IOT system - Part 1: Test method of sound variation detection (IEC 47/2742/CDV:2021); German and English version prEN IEC 63364-1:2021
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