Composants électroniques - Système CENELEC d'assurance de la qualité - Transistors bipolaires à température ambiante spécifiée pour amplification en basse et haute fréquences - Spécification particulière cadre (changement de statut de NF C 86-612, juin 1976, ENR.).
€74.00
Composants électroniques - Système CENELEC d'assurance de la qualité - Transistors bipolaires à température de boîtier spécifiée pour amplification en basse fréquence - Spécification particulière cadre (changement de statut de NF C 86-613, juin 1976, ENR.).
€32.33
Composants électroniques - Système CENELEC d'assurance de la qualité - Transistors bipolaires à température de boîtier spécifiée pour amplification en haute fréquence - Spécification particulière cadre (changement de statut de NF C 86-617, février 1977, ENR.).
€29.00
Composants électroniques - Système CENELEC d'assurance de la qualité - Transistors bipolaires de commutation - Spécification particulière cadre (changement de statut de NF C 86-614, juin 1976, ENR).
Additif 1 à la norme NF C 86-612 de juin 1976 (homologuée en juin 1981)
Additif 1 à la publication UTE C 86-818 de décembre 1978
Additif 1 à la publication UTE C 86-815 de juin 1977
Additif 1 à la publication UTE C 86-613 de mars 1979
Additif 3 à la publication UTE C 86-812 de juin 1976
Additif 1 à la publication UTE C 86-819 d'avril 1980
Semiconducteurs - Diodes de redressement de forte puissance
€108.50
Semiconducteurs - Thyristors de forte puissance
€143.00
Semiconducteurs - Transistors à effet de champ en hyperfréquences - Prescriptions provisoires
€170.50
Composants électroniques - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Troisième partie : diodes de signal (y compris les diodes de commutation) et diodes régulatrices - Section un : spécification particulière cadre pour les diodes de signal, les diodes de commutation et les diodes à avalanche contrôlée
Composants électroniques - Dispositifs à semiconducteurs - Dispositifs discrets - Sixième partie : thyristors - Section un : spécification particulière cadre pour les thyristors triodes bloqués en inverse, à températures ambiante et de boîtier spécifiées, pour courants jusqu'à 100 A
